SI2303BDS-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI2303BDS-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Vishay Intertechnology SI2303BDS-T1-GE3 Continuous Drain Current Id: -1.49A Drain Source Voltage Vds: -30V On Resistance Rds(on): 150mohm Power Dissipation Pd: 700mW Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V Threshold Voltage Vgs Typ: -3V Transistor Polarity: P Channel Product Category: MOSFET RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 1.3 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.2 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236-3 Fall Time: 40 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 700 mW Rise Time: 40 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 10 ns Part # Aliases: SI2303BDS-GE3
• Количество страниц
  6 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI2303BDS-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 103,33 KB