SI1062X-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI1062X-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI1062X-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 0.5 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.42 Omhs Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-89-3 Fall Time: 11 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 7.5 S Gate Charge Qg: 1 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 0.22 W Rise Time: 14 ns Series: SI1062X Tradename: TrenchFET Typical Turn-Off Delay Time: 16 ns
• Количество страниц
  8 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI1062X-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 144,54 KB