STP13N80K5
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
STP13N80K5 datasheet
-
МаркировкаSTP13N80K5
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP13N80K5 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.37 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Fall Time: 16 ns Gate Charge Qg: 29 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 190 W Rise Time: 16 ns Typical Turn-Off Delay Time: 42 ns
-
Количество страниц20 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
08.06.2024
07.06.2024
06.06.2024